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近日，工業(yè)和信息化部發(fā)布《關(guān)于微波通信系統(tǒng)頻率使用規(guī)劃調(diào)整及無線電管理有關(guān)事項(xiàng)的通知》（工信部無〔2022〕176號，以下簡稱《通知》），現(xiàn)就《通知》有關(guān)內(nèi)容解讀如下： 一、《通知》制定的背景

近日，工業(yè)和信息化部發(fā)布《關(guān)于微波通信系統(tǒng)頻率使用規(guī)劃調(diào)整及無線電管理有關(guān)事項(xiàng)的通知》（工信部無〔2022〕176號，以下簡稱《通知》），對我國微波通信系統(tǒng)頻率使用規(guī)劃進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整（《通知》全文及解讀附后）。

射頻同軸連接器和電纜是常見的元器件，在軍事應(yīng)用中發(fā)揮著基本不可見但非常關(guān)鍵的作用。該組件的工作是將頻率高達(dá)數(shù)十千兆赫 (GHz) 的射頻信號從天線傳送到接收器。它必須可靠地處理敏感的射頻信號并保持其完整性，同時(shí)要足夠堅(jiān)固，能夠經(jīng)受住戰(zhàn)場上的嚴(yán)酷考驗(yàn)。

目前測量介電常數(shù)常用的方法主要有網(wǎng)絡(luò)參數(shù)法、諧振腔法、平行板電容法、同軸探頭法等等。每種測試方法都有自己的適用范圍，并沒有一種能夠適用所有場景的通用方法，因此需要根據(jù)以下特性選擇合適的測試方法：★ 測試頻率范圍 ★ 期望測試的εr值范圍 ★ 期望達(dá)到的測試精度 ★ 材料的形式 (液體、粉末、固體) ★ 被測件尺寸

氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的一種，在禁帶寬度、飽和電子漂移速度、電子遷移率三項(xiàng)參數(shù)上都超越了第一代和第二代半導(dǎo)體材料。 對GaN薄膜材料的研究可追溯到上世紀(jì)60年代，但直到90年代GaN外延生長和摻雜技術(shù)才取得了重大突破。21世紀(jì)后，科技的高速發(fā)展和不斷涌現(xiàn)的新需求有力推動(dòng)著GaN半導(dǎo)體材料朝著高頻、高功率、低能耗、超快響應(yīng)、超高容量、微型化等方向發(fā)展。