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GAA和背面供電技術(shù)成晶圓廠推進埃米級工藝的關(guān)鍵。英特爾率先在20A節(jié)點應用背面供電，臺積電推遲至A16節(jié)點，三星則計劃在2nm節(jié)點集成。背面供電雖提升性能、降低成本，但晶圓廠需權(quán)衡良率、可靠性等問題。

光電二極管作為光電集成芯片中必需的基本元件，已被廣泛應用于發(fā)光二極管（LED）、激光器、探測器等。然而，無論是作為發(fā)光單元還是探測單元的光電二極管，均需配置相應的外部驅(qū)動電路來實現(xiàn)電信號和光信號之間的轉(zhuǎn)換，這一傳統(tǒng)模式極大地限制了整個光電系統(tǒng)的信號傳輸速度和帶寬，也不可避免地增大了系統(tǒng)體積和復雜度，從而限制了整個光電集成技術(shù)的發(fā)展。中國科學技術(shù)大學孫海定教授iGaN Lab課題組與武漢大學劉勝院士團隊合作，提出了新型三電極光電PN結(jié)二極管結(jié)構(gòu)，通過在P型區(qū)域引入“第三電極”，構(gòu)筑載流子調(diào)制新方法，實現(xiàn)了第三端口外加電場對二極管光電特性的有效調(diào)控。

相控陣天線是現(xiàn)代雷達和通信系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，通過電子方式控制波束成形和方向，提供優(yōu)勢如減少干擾、增加范圍和提高安全性。盡管存在技術(shù)復雜性和高成本等缺點，但其優(yōu)勢在高級應用中仍占主導地位，廣泛應用于雷達、5G和衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。

本文設(shè)計優(yōu)化了400G光收發(fā)模塊，采用透鏡無源器件提高耦合效率，通過IBIS模型優(yōu)化高頻電路。測試顯示模塊眼圖清晰，抖動小，通道一致性好，傳輸穩(wěn)定。整體設(shè)計實現(xiàn)了高效、穩(wěn)定的光信號傳輸，滿足國際標準要求。